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资料编号：170210
 
资料名称：BFP182
 
文件大小： 60.08K
   
说明：
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA)
 
 


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BFP182
8月-09-20012
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
值 UnitSymbol
最小值 最大值.典型值.
直流 特性
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0
12 --
µA
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 20 v,
V
是
= 0
- 100-
I
CES
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 10 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100 nA
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 1 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 1 µA
直流 电流 增益
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 8 v
h
FE
50 100 200 -
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