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资料编号：170210
 
资料名称：BFP182
 
文件大小： 60.08K
   
说明：
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA)
 
 


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BFP182
8月-09-20016
集电级-根基 电容
C
cb
=
f
(
V
CB
)
f
= 1mhz
0 4 8 12 16
V
22
V
CB
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
pF
0.50
C
cb
转变 频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 参数
0 5 10 15
毫安
25
I
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz
10
f
T
0 5 10 15
毫安
25
I
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
GHz
10
f
T
10V
5V
3V
2V
1V
0.7v
电源 增益
G
毫安
,
G
ms
=
f
(
I
C
)
f
= 0.9ghz
V
CE
= 参数
0 5 10 15
毫安
25
I
C
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
dB
23
G
0 5 10 15
毫安
25
I
C
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
dB
23
G
10V
8V
5V
3V
2V
1V
0.7v
电源 增益
G
毫安
,
G
ms
=
f
(
I
C
)
f
= 1.8ghz
V
CE
= 参数
0 5 10 15
毫安
25
I
C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
dB
16
G
0 5 10 15
毫安
25
I
C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
dB
16
G
10V
0 5 10 15
毫安
25
I
C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
dB
16
G
1V
0 5 10 15
毫安
25
I
C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
dB
16
G
3V
2V
0.7v
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