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资料编号:170261
 
资料名称:BFQ135
 
文件大小: 78.62K
   
说明
 
介绍:
NPN 6.5 GHz wideband transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1997 十一月 07 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 6.5 ghz wideband 晶体管 BFQ135
特性
最佳的 温度 profile 和
极好的 可靠性 properties
保证 用 发射级-ballasting
电阻器 和 应用 的 金
sandwich 敷金属.
产品
matv 和 微波 放大器,
此类 作 在 aerial 放大器, radar
系统, oscilloscopes, spectrum
analysers, 等
描述
npn wideband 晶体管 在 一个 4-含铅的
双-发射级 sot172a2 包装 和
一个 陶瓷的 cap. 所有 leads 是 分开的
从 这 挂载 根基.
固定
管脚 描述
1 集电级
2, 4 发射级
3 根基
图.1 sot172a2.
fpage
MSA457
4
2
1
3
顶 视图
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
19 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
150 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
c
145
°
C
−−
2.7 W
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 120 毫安; v
CE
= 18 v; t
amb
=25
°
C55
−−
f
T
转变 频率 I
C
= 120 毫安; v
CE
= 18 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
6.5
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益 I
C
= 120 毫安 ; v
CE
= 18 v; f = 500 mhz;
T
amb
=25
°
C
17
dB
I
C
= 120 毫安; v
CE
= 18 v; f = 800 mhz;
T
amb
=25
°
C
13.5
dB
V
O
输出 电压 d
im
=
60 db; i
C
= 120 毫安; v
CE
=18v;
R
L
=75
; f
p
+f
q
f
r
= 793.25 mhz;
T
amb
=25
°
C
1.2
V
警告
产品 和 自然环境的 安全 - toxic 材料
这个 产品 包含 beryllium oxide. 这 产品 是 全部地 safe 提供 那 这 beo disc 是 不 损坏.
所有 persons who handle, 使用 或者 dispose 的 这个 产品 应当 是 知道 的 它的 nature 和 的 这 需要 安全
预防措施. 之后 使用, dispose 的 作 化学的 或者 特定的 waste 符合 至 这 regulations 应用 在 这 location 的
这 用户. 它 必须 从不 是 thrown 输出 和 这 一般 或者 domestic waste.
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