1997 十一月 07 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 6.5 ghz wideband 晶体管 BFQ135
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和 .
2. d
im
=
−
60 db (din 45004b); i
C
= 120 毫安; v
CE
= 18 v; r
L
=75
Ω
; t
amb
=25
°
c;
V
p
=V
O
在 d
im
=
−
60 db; f
p
= 445.25 mhz;
V
q
=V
O
−
6 db; f
q
= 453.25 mhz;
V
r
=V
O
−
6 db; f
r
= 455.25 mhz;
量过的 在 f
p
+f
q
−
f
r
= 443.25 mhz.
3. d
im
=
−
60 db (din 45004b); i
C
= 120 毫安; v
CE
= 18 v; r
L
=75
Ω
; t
amb
=25
°
c;
V
p
=V
O
在 d
im
=
−
60 db; f
p
= 795.25 mhz;
V
q
=V
O
−
6 db; f
q
= 803.25 mhz;
V
r
=V
O
−
6 db; f
r
= 805.25 mhz;
量过的 在 f
p
+f
q
−
f
r
= 793.25 mhz.
4. I
C
= 90 毫安; v
CE
= 18 v; v
O
= 50 dbmv; t
amb
=25
°
c;
f
p
= 50 mhz; f
q
= 400 mhz;
量过的 在 f
p
+f
q
= 450 mhz.
5. I
C
= 90 毫安; v
CE
= 18 v; v
O
= 50 dbmv; t
amb
=25
°
c;
f
p
= 250 mhz; f
q
= 560 mhz;
量过的 在 f
p
+f
q
= 810 mhz.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=18V
−−
50
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 120 毫安; v
CE
=18v;
T
amb
=25
°
C
55
−−
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 18 v; f = 1 MHz
−
1.8
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
5.5
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
=18v; f=1mhz
−
1 1.2 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 120 毫安; v
CE
=18v;
f = 1 ghz; t
amb
=25
°
C
−
6.5
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益
(便条 1)
I
C
= 120 毫安; v
CE
=18v;
f = 500 mhz; t
amb
=25
°
C
−
17
−
dB
I
C
= 120 毫安; v
CE
=18v;
f = 800 mhz; t
amb
=25
°
C
−
13.5
−
dB
V
O
输出 电压 便条 2
−
1.35
−
V
便条 3
−
1.2
−
V
d
2
第二 顺序 交调
扭曲量
便条 4
−−
70
−
dB
便条 5
−−
70
−
dB
G
UM
10 log
S
21
2
1
S
11
2
–
1
S
22
2
–
--------------------------------------------------------------
dB
˙
=
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