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资料编号:170403
 
资料名称:BFR193
 
文件大小: 80.25K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor
 
 


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BFR193
8月-09-20013
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
交流 特性
(核实 用 随机的 抽样)
转变 频率
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 8 v,
f
= 500 mhz
f
T
6 8 - GHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
cb
- 0.68 1 pF
集电级-发射级 电容
V
CE
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
ce
- 0.24 -
发射级-根基 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
C
eb
- 1.8 -
噪音 图示
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 8 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
f
= 900 mhz
f
= 1.8 ghz
F
-
-
1.3
2.1
-
-
dB
电源 增益, 最大 有
1)
I
C
= 30 毫安,
V
CE
= 8 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
Z
L
=
Z
Lopt
,
f
= 900 mhz
f
= 1.8 ghz
G
毫安
-
-
14.5
9
-
-
transducer 增益
I
C
= 30 毫安,
V
CE
= 8 v,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 900 mhz
f
= 1.8 ghz
|
S
21e
|
2
-
-
12.5
7
-
-
1
G
毫安
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
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