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BFR193
8月-09-20011
npn 硅 rf 晶体管

为 低 噪音, 高-增益 放大器 向上 至 2 ghz

为 直线的 broadband 放大器

f
T
= 8 ghz
F
= 1.3 db 在 900 mhz
1
2
3
VPS05161
静电释放
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge 敏感的 设备, 注意到 处理 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
BFR193 RCs 1 = b 2 = e 3 = c SOT23
最大 比率
参数
标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
12 V
集电级-发射级 电压
V
CES
20
集电级-根基 电压
V
CBO
20
发射级-根基 电压
V
EBO
2
集电级 电流
I
C
80 毫安
根基 电流
I
B
10
总的 电源 消耗
T
S

69 °c
1)
P
tot
580 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
包围的 温度
T
一个
-65 ... 150
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
2)
R
thJS

140
k/w
1
T
S
是 量过的 在 这 集电级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
2
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗

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BFR193 8月-09-20011 npn 硅 rf 晶体管  为低噪音, 高-增益放大器向上至 2 ghz  为直线的 broadband 放大器  f T = 8 ghz F = 1.3 db 在 900 mhz 1 2 3 VPS05161 静电释放 : E lectro s tatic d ischarge 敏感的设备, 注意到处理 precaution! 类型标记管脚配置包装 BFR193 RCs 1 = b 2 = e 3 = c SOT23 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 V CEO 12 V 集电级-发射级电压 V CES 20 集电级-根基电压 V CBO 20 发射级-根基电压 V EBO 2 集电级电流 I C 80 毫安根基电流 I B 10 总的电源消耗 T S  69 °c 1) P tot 580 mW 接合面温度 T j 150 °C 包围的温度 T 一个 -65 ... 150 存储温度 T stg -65 ... 150 热的阻抗接合面 - 焊接要点 2) R thJS  140 k/w 1 T S 是量过的在这集电级含铅的在这焊接要点至这 pcb 2 为计算的 R thJA 请谈及至应用便条热的阻抗

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