九月 1992 2
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 推-拉 电源 mos 晶体管 BLF245B
特性
•
高 电源 增益
•
容易 电源 控制
•
好的 热的 稳固
•
金 敷金属 确保
极好的 可靠性.
描述
双 推-拉 硅 n-频道
增强 模式 vertical d-mos
晶体管 设计 为 大 信号
放大器 产品 在 这 vhf
频率 范围.
这 晶体管 是 encapsulated 在 一个
4-含铅的, sot279 保持平衡 flange
封套, 和 一个 陶瓷的 cap. 这
挂载 flange 提供 这
一般 源 连接 为 这
晶体管.
固定 - sot279
管脚 描述
1 门 1
2 流 1
3 门 2
4 流 2
5 源
管脚 配置
提醒
这 设备 是 有提供的 在 一个 antistatic 包装. 这 门-源 输入 必须
是 保护 相反 静态的 承担 在 运输 和 处理.
警告
产品 和 自然环境的 安全 - toxic 材料
这个 产品 包含 beryllium oxide. 这 产品 是 全部地 safe 提供
那 这 beo disc 是 不 损坏. 所有 persons who handle, 使用 或者 dispose 的
这个 产品 应当 是 知道 的 它的 nature 和 的 这 需要 安全
预防措施. 之后 使用, dispose 的 作 化学的 或者 特定的 waste 符合 至
这 regulations 应用 在 这 location 的 这 用户. 它 必须 从不 是 thrown
输出 和 这 一般 或者 domestic waste.
图.1 simplified 外形 和 标识.
fpage
14
32
5
顶 视图
MSB018
MBB157
g
2
g
1
d
2
d
1
s
快 涉及 数据
rf 效能 在 t
h
= 25
°
C 在 一个 推-拉 一般 源 测试 电路.
模式 的 运作
f
(mhz)
V
DS
(v)
P
L
(w)
G
P
(db)
η
D
(%)
cw, 类-b 175 28 30
>
14
>
55
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