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九月 1992 4
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 推-拉 电源 mos 晶体管 BLF245B
特性 (每 部分)
T
j
= 25
°
C 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 5 毫安; V
GS
= 0 65
−−
V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
GS
= 0; V
DS
= 28 v
−−
1mA
I
GSS
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v; v
DS
= 0
−−
1
µ
一个
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 5 毫安; v
DS
= 10 v 2
−
4.5 V
g
fs
向前 跨导 I
D
= 0.75 一个; V
DS
= 10 v 600 850
−
mS
R
ds(在)
流-源 在-状态 阻抗 I
D
= 0.75 一个; V
GS
= 10 v
−
0.8 1.5
Ω
I
DSX
在-状态 流 电流 V
GS
= 10 v; V
DS
= 10 v
−
5
−
一个
C
是
输入 电容 V
GS
= 0; V
DS
= 28 v; f = 1 mhz
−
60
−
pF
C
os
输出 电容 V
GS
= 0; V
DS
= 28 v; f = 1 mhz
−
40
−
pF
C
rs
反馈 电容 V
GS
= 0; V
DS
= 28 v; f = 1 mhz
−
4.5
−
pF
图.4 温度 系数 的 门-源
电压 作 一个 函数 的 流 电流, 典型
值 每 部分.
V
DS
= 10 v.
handbook, halfpage
2
−
8
MGP180
10 10
2
10
3
1
−
6
−
4
−
2
0
t.c.
(mv/k)
I
D
(毫安)
图.5 流 电流 作 一个 函数 的 门-源
电压, 典型 值 每 部分.
V
DS
= 10 v.
handbook, halfpage
048 16
6
0
2
4
12
MGP181
I
D
(一个)
V
GS
(v)
T
j
= 25
°
C
125
°
C

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九月 1992 4 飞利浦半导体产品规格 vhf 推-拉电源 mos 晶体管 BLF245B 特性 (每部分) T j = 25 ° C 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)dss 流-源损坏电压 I D = 5 毫安; V GS = 0 65 −− V I DSS 流-源泄漏电流 V GS = 0; V DS = 28 v −− 1mA I GSS 门-源泄漏电流 ± V GS = 20 v; v DS = 0 −− 1 µ 一个 V gs(th) 门-源门槛电压 I D = 5 毫安; v DS = 10 v 2 − 4.5 V g fs 向前跨导 I D = 0.75 一个; V DS = 10 v 600 850 − mS R ds(在) 流-源在-状态阻抗 I D = 0.75 一个; V GS = 10 v − 0.8 1.5 Ω I DSX 在-状态流电流 V GS = 10 v; V DS = 10 v − 5 − 一个 C 是输入电容 V GS = 0; V DS = 28 v; f = 1 mhz − 60 − pF C os 输出电容 V GS = 0; V DS = 28 v; f = 1 mhz − 40 − pF C rs 反馈电容 V GS = 0; V DS = 28 v; f = 1 mhz − 4.5 − pF 图.4 温度系数的门-源电压作一个函数的流电流, 典型值每部分. V DS = 10 v. handbook, halfpage 2 − 8 MGP180 10 10 2 10 3 1 − 6 − 4 − 2 0 t.c. (mv/k) I D (毫安) 图.5 流电流作一个函数的门-源电压, 典型值每部分. V DS = 10 v. handbook, halfpage 048 16 6 0 2 4 12 MGP181 I D (一个) V GS (v) T j = 25 ° C 125 ° C

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