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资料编号:174874
 
资料名称:BLF521
 
文件大小: 90.52K
   
说明
 
介绍:
UHF power MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
十一月 1992 3
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 mos 晶体管 BLF521
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
热的 阻抗
便条
1. 挂载 在 打印 电路 板, 看 图.12.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
40 V
±
V
GS
门-源 电压
20 V
I
D
直流 流 电流
1A
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
mb
=25
°
C
10 W
T
stg
存储 温度
65 150
°
C
T
j
接合面 温度
200
°
C
标识 参数
热的
阻抗
R
th j-mb
热的 阻抗 从 接合面 至 挂载 根基 17.5 k/w
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 (便条 1) 75 k/w
图.2 直流 soar.
(1) 电流 在 这个 范围 将 是 限制 用 r
ds(在)
.
(2) T
mb
=25
°
c.
handbook, halfpage
0.1
1
1 10 100
5
(1)
I
D
(一个)
V
DS
(v)
MRA989
(2)
图.3 电源/温度 减额 曲线.
(1) 持续的 运作.
(2) 短的-时间 运作 在 mismatch.
handbook, halfpage
0 40 80 160
16
12
4
0
8
120
MDA486
(1)
(2)
P
tot
(w)
T
mb
(
°
c)
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