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十一月 1992 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 mos 晶体管 BLF521
特性
T
j
= 25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0; i
D
= 3 毫安 40
−−
V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
GS
= 0; v
DS
= 12.5 V
−−
10
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v; v
DS
=0
−−
1
µ
一个
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 3 毫安; V
DS
=10V 2
−
4.5 V
g
fs
向前 跨导 I
D
= 0.3 一个; V
DS
= 10 V 80 135
−
mS
R
ds(在)
流-源 在-状态 阻抗 I
D
= 0.3 一个; V
GS
=15V
−
3.5 4
Ω
I
DSX
在-状态 流 电流 V
GS
= 15 v; v
DS
=10V
−
1.3
−
一个
C
是
输入 电容 V
GS
=0;v
DS
= 12.5 v; f = 1 MHz
−
5.3
−
pF
C
os
输出 电容 V
GS
=0;v
DS
= 12.5 v; f = 1 MHz
−
7.8
−
pF
C
rs
反馈 电容 V
GS
=0;v
DS
= 12.5 v; f = 1 MHz
−
1.8
−
pF
图.4 温度 系数 的 门-源
电压 作 一个 函数 的 流 电流, 典型
值.
V
DS
=10v.
handbook, halfpage
15
−
5
5
10
0
MDA485
1
I
D
(一个)
t.c
(mv/k)
10 10
2
10
3
图.5 流 电流 作 一个 函数 的 门-源
电压, 典型 值.
V
DS
=10V
;
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
04 20
1600
1200
400
0
800
81216
MDA484
I
D
(毫安)
V
GS
(v)

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十一月 1992 4 飞利浦半导体产品规格 uhf 电源 mos 晶体管 BLF521 特性 T j = 25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)dss 流-源损坏电压 V GS = 0; i D = 3 毫安 40 −− V I DSS 流-源泄漏电流 V GS = 0; v DS = 12.5 V −− 10 µ 一个 I GSS 门-源泄漏电流 ± V GS = 20 v; v DS =0 −− 1 µ 一个 V gs(th) 门-源门槛电压 I D = 3 毫安; V DS =10V 2 − 4.5 V g fs 向前跨导 I D = 0.3 一个; V DS = 10 V 80 135 − mS R ds(在) 流-源在-状态阻抗 I D = 0.3 一个; V GS =15V − 3.5 4 Ω I DSX 在-状态流电流 V GS = 15 v; v DS =10V − 1.3 − 一个 C 是输入电容 V GS =0;v DS = 12.5 v; f = 1 MHz − 5.3 − pF C os 输出电容 V GS =0;v DS = 12.5 v; f = 1 MHz − 7.8 − pF C rs 反馈电容 V GS =0;v DS = 12.5 v; f = 1 MHz − 1.8 − pF 图.4 温度系数的门-源电压作一个函数的流电流, 典型值. V DS =10v. handbook, halfpage 15 − 5 5 10 0 MDA485 1 I D (一个) t.c (mv/k) 10 10 2 10 3 图.5 流电流作一个函数的门-源电压, 典型值. V DS =10V ; T j =25 ° c. handbook, halfpage 04 20 1600 1200 400 0 800 81216 MDA484 I D (毫安) V GS (v)

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