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手机版
资料编号:174900
资料名称:
BLF175
文件大小: 138.49K
说明
:
介绍
:
HF/VHF power MOS transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
九月
1992
4
飞利浦 半导体
产品 规格
hf/vhf 电源 mos 晶体管
BLF175
特性
T
j
= 25
°
C
除非 否则 specified.
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压
I
D
= 10 毫安;
V
GS
= 0
110
−−
V
I
DSS
流-源 泄漏 电流
V
GS
= 0;
V
DS
= 50 v
−−
100
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v; v
DS
= 0
−−
1
µ
一个
V
gs(th)
门-源 门槛 电压
I
D
= 10 毫安; v
DS
= 10 v
2
−
4.5
V
∆
V
GS
门-源 电压 区别 的
matched pairs
I
D
= 10 毫安; v
DS
= 10 v
−−
100
mV
g
fs
向前 跨导
I
D
= 1 一个;
V
DS
= 10 v
1.1
1.6
−
S
R
ds(在)
流-源 在-状态 阻抗
I
D
= 1 一个;
V
GS
= 10 v
−
0.75
1.5
Ω
I
DSX
在-状态 流 电流
V
GS
= 10 v;
V
DS
= 10 v
−
5.5
−
一个
C
是
输入 电容
V
GS
= 0;
V
DS
= 50 v;
f = 1 mhz
−
130
−
pF
C
os
输出 电容
V
GS
= 0;
V
DS
= 50 v; f = 1 mhz
−
36
−
pF
C
rs
反馈 电容
V
GS
= 0;
V
DS
= 50 v; f = 1 mhz
−
3.7
−
pF
图.4
温度 系数 的 门-源
电压 作 一个 函数 的 流 电流, 典型
值.
V
DS
=
10 v.
handbook, halfpage
0
−
5
MGP064
10
−
2
10
−
1
1
−
4
−
3
−
2
−
1
t.c.
(mv/k)
I
D
(一个)
图.5
流 电流 作 一个 函数 的 门-源
电压, 典型 值.
V
DS
= 10 v; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
6
4
2
0
MGP065
510
V
GS
(v)
I
D
(一个)
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