九月 1992 6
飞利浦 半导体 产品 规格
hf/vhf 电源 mos 晶体管 BLF175
应用 信息 为 类-一个 运作
T
h
= 25
°
c; R
th mb-h
= 0.3 k/w; 除非 否则 specified.
rf 效能 在 ssb 运作 在 一个 一般 源 电路.
f
1
= 28.000 mhz; f
2
= 28.001 mhz.
便条
1. 陈述 计算数量 是 最大 值 encountered 在 任何 驱动 水平的 在 这 指定 值 的 pep 和 是
涉及 至 这 符合 水平的 的 也 这 equal amplified tones. related 至 这 符合 顶峰 封套 电源
这些 计算数量 应当 是 decreased 用 6 db.
P
L
(w)
f
(mhz)
V
DS
(v)
I
DQ
(毫安)
G
P
(db)
d
3
(db)
(便条
1
)
d
5
(db)
(便条
1
)
R
GS
(
Ω
)
0 至 8 (pep) 28 50 800
>
24
典型值 28
>−
40
典型值
−
44
<−
40
典型值
−
64
24
24
图.9 电源 增益 作 一个 函数 的 加载 电源,
典型 值.
类-一个 运作; v
DS
= 50 v; I
DQ
= 0.8 一个;
R
GS
= 24
Ω
;f
1
= 28.000 mhz; f
2
= 28.001 mhz.
固体的 线条: t
h
= 25
°
c.
dotted 线条: t
h
= 70
°
c.
handbook, halfpage
0 5 10 20
40
30
10
0
20
MGP069
15
G
p
(db)
P
L
(w) pep
图.10 第三 顺序 交调 扭曲量 作 一个
函数 的 加载 电源, 典型 值.
类-一个 运作; v
DS
= 50 v; I
DQ
= 0.8 一个;
R
GS
= 24
Ω
;f
1
= 28.000 mhz; f
2
= 28.001 mhz.
固体的 线条: t
h
= 25
°
c.
dotted 线条: t
h
= 70
°
c.
handbook, halfpage
0 5 10 20
0
−
20
−
60
−
80
−
40
MGP070
15
d
3
(db)
P
L
(w) pep
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