低-电源 睡眠 模式
这 bq2058 enters 这 低-电源 睡眠 模式 在 二 dif
-
ferent 方法:
1. 在 最初的 电源-向上.
2. 之后 这 发现 的 一个 欠压 condi
-
tion–V
UV
.
当 这 bq2058 enters 这 低-电源 睡眠 模式, DSG
是 驱动 高 和 这 设备 消费 0.7
µ
一个 (典型).
这 bq2058 仅有的 comes 输出 的 低-电源 睡眠 模式
当 一个 有效的 承担-发现 情况 exists.
承担 发现
这 bq2058 continuously monitors 为 一个 承担-发现 con
-
dition. 一个 有效的 承担-发现 情况 exists 当 也
的 这 情况 是 真实:
csl < bat
4N
- 70mv (v
CD
)
csh > bat
1P
+ 70mv (v
CD
)
一个 有效的 承担-发现 使能 这 DSG
输出, 准许
charging 的 这 lithium ion cells. 这个 是 accomplished
用 应用 这 charging 供应 至 这 包装.
欠压
欠压 (或者 overdischarge) 保护 是 asserted
当 任何 cell 电压 drops 在下 这 V
UV
门槛
和 仍然是 在下 这 V
UV
门槛 为 一个 时间
exceeding 一个 用户-configurable 延迟 (t
UVD
). 这 DSG
输出 是 驱动 高 disabling 这 释放 的 这
包装. 这 bq2058 然后 enters 这 低-电源 睡眠
模式.
超（电）压
超（电）压 (或者 overcharge) 保护 是 asserted 当
任何 cell 电压 超过 这 V
OV
门槛 和 仍然是
在之上 这 V
OV
门槛 为 一个 时间 exceeding 一个 用户-
configurable 延迟 (t
OVD
). 这 CHG 管脚 是 驱动 高,
disabling 承担 在 这 电池 包装. Charging 是 dis
-
abled 直到 一个 有效的 承担 使能 exists. 看 承担 En
-
能 部分.
重要的 便条: 如果 任何 电池 管脚 floats (bat
1P
,
BAT
1N
–
4N
), 这 bq2058 假设 一个 超（电）压 有
occurred.
因为 的 不同的 manufacturers 规格 为
超（电）压 门槛, 这 bq2058 能 是 有 和
不同的 V
OV
选项. 表格 2 summarizes 这些 differ
-
ent 电压 门槛.
这 超（电）压 门槛 限制 是 编写程序
在 unitrode. 这 bq2058 是 这 标准 选项
那 是 更多 readily 有 为 抽样 和
prototyping 目的. 请 联系 Unitrode
为 其它 电压 门槛 和 容忍 选项.
承担 使能
一个 有效的 承担 使能 indicates 那 一个 超（电）压
(overcharge) 情况 非 变长 exists 和 那 这
包装 是 准备好 至 接受 更远 承担. Once 超（电）压
保护 是 asserted, charging 将 不 是 使能 un-
til 所有 cell 电压 下降 在下 V
CE
. 这 V
CE
门槛 是
一个 函数 的 V
ov,
和 改变 和 不同的 V
OV
lim-
它的.
V
CE
= v
OV
- 150mv
Overcurrent
这 bq2058 发现 一个 overcurrent (或者 短的 电路) con-
dition 仅有的 在 这 释放 方向. Overcurrent pro
-
tection 是 asserted 当 也 的 这 情况 occurs
和 仍然是 为 一个 时间 exceeding 一个 用户-configurable de
-
lay (t
OCD
):
csl > bat
4N
+ v
OCL
csh < bat
1P
- v
OCH
在哪里:
V
OCL
= 160mv (低-一侧 发现)
V
OCH
= 160mv (高-一侧 发现)
当 也 的 这些 情况 occurs, DSG
是 驱动
高, disconnecting 这 加载 从 这 包装. DSG
re
-
mains 高 直到 两个都 的 这 电压 情况 是 false,
表明 除去 的 这 短的-电路 情况. 这
用户 能 facilitate clearing 这些 情况 用 inserting
这 电池 包装 在 一个 charger.
这 低-一侧 overcurrent sense 能 是 无能 用 con
-
necting CSL 至 BAT
4N
. 这个 确保 那 CSL 是 从不
更好 比 BAT
4N
. 如果 低-一侧 发现 是 无能,
高-一侧 发现 必须 是 使用 和 csh.
5
bq2058
部分 非. V
OV
限制
bq2058 4.25v
bq2058C 4.325
bq2058D 4.30v
bq2058G* 4.375v
bq2058R 4.35v
bq2058W 3.4v
表格 2. 超（电）压 门槛 选项
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