函数的 描述
当 电源 是 有效的, 这 bq4013/y 运作 作 一个 stan
-
dard CMOS sram. 在 电源-向下 和 电源-向上
循环, 这 bq4013/y acts 作 一个 nonvolatile 记忆, 自动
-
matically protecting 和 preserving 这 记忆 con
-
tents.
电源-向下/电源-向上 控制 电路系统 constantly moni
-
tors 这 V
CC
供应 为 一个 电源-失败-发现 门槛
V
PFD
. 这 bq4013 monitors 为 V
PFD
= 4.62v 典型 为
使用 在 系统 和 5% 供应 容忍. 这 bq4013Y
monitors 为 V
PFD
= 4.37v 典型 为 使用 在 系统
和 10% 供应 容忍.
当 V
CC
falls 在下 这 V
PFD
门槛, 这 SRAM au
-
tomatically 写-保护 这 数据. 所有 输出 变为
高 阻抗, 和 所有 输入 是 treated 作 “don’t
小心.” 如果 一个 有效的 进入 是 在 处理 在 这 时间 的
电源-失败 发现, 这 记忆 循环 持续 至 com
-
pletion. 如果 这 记忆 循环 失败 至 terminate 在里面
时间 t
WPT
, 写-保护 takes 放置.
作 V
CC
falls past V
PFD
和 approaches 3v, 这 控制
电路系统 switches 至 这 内部的 lithium backup 供应,
这个 提供 数据 保持 直到 有效的 V
CC
是 应用.
当 V
CC
returns 至 一个 水平的 在之上 这 内部的 backup
cell 电压, 这 供应 是 切换 后面的 至 V
CC
. 之后
V
CC
ramps 在之上 这 V
PFD
门槛, 写-保护
持续 为 一个 时间 t
CER
(120ms 最大) 至 准许 为
处理器 stabilization. 正常的 记忆 运作 将
重新开始 之后 这个 时间.
这 内部的 coin cell 使用 用 这 bq4013/y 有 一个 ex
-
tremely 长 shelf 生命 和 提供 数据 保持 为
更多 比 10 年 在 这 absence 的 系统 电源.
作 运输 从 unitrode, 这 integral lithium cell 的
这 毫安-类型 单元 是 用电气 分开的 从 这
记忆. (自-释放 在 这个 情况 是 approxi
-
mately 0.5% 每 年.) 下列的 这 第一 应用 的
V
CC
, 这个 分开 是 broken, 和 这 lithium backup cell
提供 数据 保持 在 subsequent 电源-downs.
2
bq4013/y
OE
CE
bd-42
我们
电源
Lithium
Cell
电源-失败
控制
128k x 8
SRAM
块
CE
CON
V
CC
一个
0
–A
16
DQ
0
–DQ
7
块 图解
: 点此下载
