特性
➤
数据 保持 为 在 least 10
年 没有 电源
➤
自动 写-保护 在
电源-向上/电源-向下 循环
➤
常规的 SRAM 运作,
包含 unlimited 写 循环
➤
内部的 分开 的 电池 是
-
fore 电源 应用
➤
工业 标准 32-管脚 插件
引脚
一般 描述
这 CMOS bq4013/y 是 一个 nonvolatile
1,048,576-位 静态的 内存 有组织的 作
131,072 words 用 8 位. 这 integral
控制 电路系统 和 lithium 活力
源 提供 可依靠的 nonvolatility
结合 和 这 unlimited 写 cy
-
cles 的 标准 sram.
这 控制 电路系统 constantly
monitors 这 单独的 5V 供应 为 一个
输出-的-容忍 情况. 当
V
CC
falls 输出 的 容忍, 这 SRAM
是 unconditionally 写-保护 至
阻止 inadvertent 写 运作.
在 这个 时间 这 integral 活力
源 是 切换 在 至 支持 这
记忆 直到 之后 V
CC
returns 有效的.
这 bq4013/y 使用 一个 极其
低 备用物品 电流 CMOS sram,
结合 和 一个 小 lithium coin
cell 至 提供 nonvolatility 没有
长 写-循环 时间 和 这
写-循环 限制 有关联的
和 可擦可编程只读存储器.
这 bq4013/y 需要 非 外部
电路系统 和 是 插座-兼容
和 工业-标准 SRAMs 和
大多数 EPROMs 和 eeproms.
1
bq4013/y
管脚 连接
9/96 d
一个
0
–A
16
地址 输入
DQ
0
–DQ
7
数据 输入/输出
CE
碎片 使能 输入
OE
输出 使能 输入
我们
写 使能 输入
NC 非 连接
V
CC
供应 电压 输入
V
SS
地面
选择 手册
部分
号码
最大
进入
时间 (ns)
负的
供应
容忍
部分
号码
最大
进入
时间 (ns)
负的
供应
容忍
bq4013yma -70 70 -10%
bq4013ma -85 85 -5% bq4013yma -85 85 -10%
bq4013ma-120 120 -5% bq4013yma-120 120 -10%
128kx8 nonvolatile SRAM
管脚 names
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