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资料编号：180454
 
资料名称：BSM100GB120DN2
 
文件大小： 132.18K
   
说明：
 
介绍:
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
8 三月-29-1996
bsm 100 gb 120 dn2
向前 特性 的 快 恢复
反转 二极管
I
F
= f(v
F
)
参数:
T
j
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 V 3.0
V
F
0
20
40
60
80
100
120
140
160
一个
200
I
F
T
j
=25°C
=125°C
j
T
瞬时 热的 阻抗 二极管
Z
th jc
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
k/w
Z
thJC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
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