BSM100GB120DN2_集成电路资料查询网

半导体 组
6 三月-29-1996
bsm 100 gb 120 dn2
典型值 门 承担
V
GE
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
c puls
= 100 一个
0 100 200 300 400 500 nC 650
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GE
800 v600 v
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
CE
)
参数:
V
GE
= 0 v, f = 1 mhz
0 5 10 15 20 25 30 V 40
V
CE
-1
10
0
10
1
10
2
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
反转 片面的 safe 运行 范围
I
Cpuls
= f(v
CE
)
,
T
j
= 150°c
参数:
V
GE
= 15 v
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
V
CE
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
/
I
C
短的 电路 safe 运行 范围
I
Csc
= f(v
CE
) ,
T
j
= 150°c
参数:
V
GE
= ± 15 v,
t
SC
≤
10 µs, l < 25 nh
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
V
CE
0
2
4
6
8
12
I
Csc
/
I
C

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

半导体组 6 三月-29-1996 bsm 100 gb 120 dn2 典型值门承担 V GE = ƒ ( Q 门 ) 参数: I c puls = 100 一个 0 100 200 300 400 500 nC 650 Q 门 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20 V GE 800 v600 v 典型值 capacitances C = f ( V CE ) 参数: V GE = 0 v, f = 1 mhz 0 5 10 15 20 25 30 V 40 V CE -1 10 0 10 1 10 2 10 nF C Ciss Coss Crss 反转片面的 safe 运行范围 I Cpuls = f(v CE ) , T j = 150°c 参数: V GE = 15 v 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 V CE 0.0 0.5 1.0 1.5 2.5 I Cpuls / I C 短的电路 safe 运行范围 I Csc = f(v CE ) , T j = 150°c 参数: V GE = ± 15 v, t SC ≤ 10 µs, l < 25 nh 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 V CE 0 2 4 6 8 12 I Csc / I C

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com