BSM75GB170DN2_集成电路资料查询网

半导体 组
5 jul-16-1996
bsm 75 gb 170 dn2
典型值 输出 特性
I
C
= f (v
CE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 V 6.0
V
CE
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
一个
150
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值 输出 特性
I
C
= f (v
CE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 125 °c
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 V 6.0
V
CE
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
一个
150
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值 转移 特性
I
C
= f (v
GE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
CE
= 20 v
0 2 4 6 8 10 V 14
V
GE
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
一个
300
I
C

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半导体组 5 jul-16-1996 bsm 75 gb 170 dn2 典型值输出特性 I C = f (v CE ) 参数: t p = 80 µs, T j = 25 °c 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 V 6.0 V CE 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 一个 150 I C 17V 15V 13V 11V 9V 7V 典型值输出特性 I C = f (v CE ) 参数: t p = 80 µs, T j = 125 °c 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 V 6.0 V CE 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 一个 150 I C 17V 15V 13V 11V 9V 7V 典型值转移特性 I C = f (v GE ) 参数: t p = 80 µs, V CE = 20 v 0 2 4 6 8 10 V 14 V GE 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 一个 300 I C

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