BSM75GB170DN2_集成电路资料查询网

半导体 组
7 jul-16-1996
bsm 75 gb 170 dn2
典型值 切换 时间
i = f (i
C
) ,
inductive 加载 , t
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 1200 v,
V
GE
= ± 15 v,
R
G
= 22
Ω
0 20 40 60 80 100 120 140 一个 180
I
C
1
10
2
10
3
10
4
10
ns
t
tdoff
tr
tdon
tf
典型值 切换 时间
t = f (r
G
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 1200 v,
V
GE
= ± 15 v,
I
C
= 75 一个
0 20 40 60 80
Ω
120
R
G
1
10
2
10
3
10
4
10
ns
t
tdoff
tr
tdon
tf
典型值 切换 losses
e = f (i
C
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 1200 v,
V
GE
= ± 15 v,
R
G
= 22
Ω
0 20 40 60 80 100 120 140 一个 180
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
mWs
200
E
Eon
Eoff
典型值 切换 losses
e = f (r
G
) ,
inductive 加载
,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 1200 v,
V
GE
= ± 15 v,
I
C
= 75 一个
0 20 40 60 80
Ω
120
R
G
0
20
40
60
80
100
120
140
160
mWs
200
E
Eon
Eoff

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半导体组 7 jul-16-1996 bsm 75 gb 170 dn2 典型值切换时间 i = f (i C ) , inductive 加载 , t j = 125°c par.: V CE = 1200 v, V GE = ± 15 v, R G = 22 Ω 0 20 40 60 80 100 120 140 一个 180 I C 1 10 2 10 3 10 4 10 ns t tdoff tr tdon tf 典型值切换时间 t = f (r G ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 1200 v, V GE = ± 15 v, I C = 75 一个 0 20 40 60 80 Ω 120 R G 1 10 2 10 3 10 4 10 ns t tdoff tr tdon tf 典型值切换 losses e = f (i C ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 1200 v, V GE = ± 15 v, R G = 22 Ω 0 20 40 60 80 100 120 140 一个 180 I C 0 20 40 60 80 100 120 140 160 mWs 200 E Eon Eoff 典型值切换 losses e = f (r G ) , inductive 加载 , T j = 125°c par.: V CE = 1200 v, V GE = ± 15 v, I C = 75 一个 0 20 40 60 80 Ω 120 R G 0 20 40 60 80 100 120 140 160 mWs 200 E Eon Eoff

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