半导体 组
1 二月-14-1997
bsm 200 gb 120 dl
igbt 电源 单元
初步的 数据
• 低 丧失 igbt
• 低 电感 halfbridge
• 包含 快 自由- 转动 二极管
• 包装 和 insulated metal 根基 加设护板
类型
V
CE
I
C
包装 订货 代号
bsm 200 gb 120 dl 1200V 340A half-桥 2 c67076-a2300-a70
最大 比率
参数
标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 V
集电级-门 电压
R
GE
= 20 k
Ω
V
CGR
1200
门-发射级 电压
V
GE
± 20
直流 集电级 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 80 °c
I
C
200
340
一个
搏动 集电级 电流,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °c
T
C
= 80 °c
I
Cpuls
400
680
电源 消耗 每 igbt
T
C
= 25 °c
P
tot
1400
W
碎片 温度
T
j
+ 150 °C
存储 温度
T
stg
-40 ... + 125
热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
≤
0.09
k/w
二极管 热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
D
≤
0.18
绝缘 测试 电压,
t
= 1min.
V
是
2500 Vac
creepage 距离 - 20 mm
Clearance - 11
din 湿度 类别, din 40 040 - F 秒
iec climatic 类别, din iec 68-1 - 40 / 125 / 56
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