april 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
bsn10; bsn10a
特性
•
直接 接口 至 c-mos, ttl,
等
•
高-速 切换
•
非 secondary 损坏.
描述
n-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管 在 一个 至-92
封套, 将 为 使用 在 一般
目的 快 切换 产品.
固定 - 至-92
管脚 描述
BSN10
1 门
2 流
3 源
BSN10A
1 源
2 门
3 流
快 涉及 数据
标识 参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 50 V
I
D
直流 流 电流 175 毫安
R
ds(在)
流-源 在-阻抗 15
Ω
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 1.8 V
图.1 simplified 外形 (至-92) 和 标识.
ndbook, halfpage
1
3
2
MSB033
handbook, 2 columns
s
d
g
mbb076 - 1
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
热的 阻抗
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印 电路 板, 最大 含铅的 长度 4 mm.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
−
50 V
±
V
GSO
门-源 电压 打开 流
−
20 V
I
D
直流 流 电流
−
175 毫安
I
DM
顶峰 流 电流
−
300 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
=25
°
C (便条 1)
−
830 mW
T
stg
存储 温度 范围
−
65 150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
标识 参数 热的 阻抗
R
th j-一个
从 接合面 至 包围的 (便条 1) 150 k/w
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