BSN10A_集成电路资料查询网

april 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
bsn10; bsn10a
图.4  典型 输出 特性.
T
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
0
100
200
300
400
500
04812
5 v
4 v
3 v
= 10 vv
GS
I
D
(毫安)
V
DS
(v)
MRA782
2.5 v
7 v
图.5  典型 转移 特性.
V
DS
= 10 v; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
100
200
300
400
500
0246810
V
GS
(v)
MRA783
I
D
(毫安)
图.6 流-源 在-阻抗 作 一个 函数 的
流 电流, 典型 值.
T
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
24
0
16
8
MRA788
110
R
DSon
(
Ω
)
I
D
(毫安)
10
2
10
3
V
GS
= 2.5 v
4
V
5 v
7 v
10 v
图.7 流-源 在-阻抗 作 一个 函数 的
门-源 电压, 典型 值.
V
DS
= 0.1 v; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
60
80
40
20
0
24 1086
MRA787
R
DSon
(
Ω
)
V
GS
(v)

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april 1995 4 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 bsn10; bsn10a 图.4 典型输出特性. T j = 25 ° c. handbook, halfpage 0 100 200 300 400 500 04812 5 v 4 v 3 v = 10 vv GS I D (毫安) V DS (v) MRA782 2.5 v 7 v 图.5 典型转移特性. V DS = 10 v; t j =25 ° c. handbook, halfpage 0 100 200 300 400 500 0246810 V GS (v) MRA783 I D (毫安) 图.6 流-源在-阻抗作一个函数的流电流, 典型值. T j = 25 ° c. handbook, halfpage 24 0 16 8 MRA788 110 R DSon ( Ω ) I D (毫安) 10 2 10 3 V GS = 2.5 v 4 V 5 v 7 v 10 v 图.7 流-源在-阻抗作一个函数的门-源电压, 典型值. V DS = 0.1 v; t j =25 ° c. handbook, halfpage 0 60 80 40 20 0 24 1086 MRA787 R DSon ( Ω ) V GS (v)

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