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资料编号:180576
 
资料名称:BSP030
 
文件大小: 109.33K
   
说明
 
介绍:
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1997 三月 13 2
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP030
特性
高 速 切换
非 secondary 损坏
非常 低 在-状态 阻抗.
产品
发动机 和 actuator 驱动器
电源 管理
同步 整流.
描述
n-频道 增强 模式 vertical d-mos 晶体管
在 一个 4-管脚 塑料 sot223 smd 包装.
提醒
这 设备 是 有提供的 在 一个 antistatic 包装.
这 门-源 输入 必须 是 保护 相反 静态的
释放 在 运输 或者 处理.
固定 - sot223
管脚 标识 描述
1 g
2 d
3 s
4 d
handbook, halfpage
mam054 - 1
4
123
顶 视图
s
d
g
图.1 simplified 外形 和 标识.
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流)
30 V
V
SD
源-流 二极管 向前 电压 I
S
= 1.25 一个
1V
V
GS
门-源 电压 (直流)
−±
20 V
V
GSth
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
1 2.8 V
I
D
流 电流 (直流) T
s
= 100
°
C
10 一个
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 I
D
= 5 一个; v
GS
=10V
0.03
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
= 100
°
C
5W
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