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HITFET
®
bsp 75
半导体 组 页  3 1998-02-04
电的 特性
参数 和 情况 标识 值 单位
在 t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流 源 clamp 电压
I
D
= 10 毫安
T
j
=
-40...+150°c:
V
ds(az)
55 -- 70 V
止 状态 流 电流
V
在
= 0 v,
V
DS
= 32 v
T
j
=-40...+150°c:
I
DSS
-- -- 5
µ
一个
输入 门槛 电压
I
D
= 10 毫安
V
在(th)
2 2.5 3 V
输入 电流 正常的 运作,
I
d<
I
d(lim)
:
V
在
= 5 v 电流 限制 模式,
I
D
=I
d(lim)
:
之后 热的 关闭,
I
D
=0 一个:
I
在(1)
I
在(2)
I
在(3)
--
--
1000
100
200
1500
200
300
2000
µ
一个
在-状态 阻抗
I
D
= 0.7 一个, v
在
= 5 v
T
j
=25°c:
T
j
=150°c:
R
ds(在)
--
--
550
850
675
1350
m
Ω
在-状态 阻抗
I
D
= 0.7 一个, v
在
= 10 v
T
j
=25°c:
T
j
=150°c:
R
ds(在)
--
--
475
750
550
1000
m
Ω
名义上的 加载 电流
V
BB
= 12 v,
V
DS
= 0.5 v,
T
S
= 85°c
T
j
< 150°c
I
d(nom)
0.7 -- -- 一个
电流 限制
V
在
= 10 v,
V
DS
= 12 v
I
d(lim)
1 1.5 1.9 一个
动态 特性
转变-在 时间
V
在
至 90%
I
D
:
R
L
= 22
Ω
, v
在
= 0 至 10 v, v
bb
= 12 v
t
在
-- 10
20
µ
s
转变-止 时间
V
在
至 10%
I
D
:
R
L
= 22
Ω
, v
在
= 10 至 0 v, v
bb
= 12 v
t
止
-- 10
20
µ
s
回转 比率 在 70 至 50% v
bb
:
R
L
= 22
Ω
, v
在
= 0 至 10 v, v
bb
= 12 v
-d
V
DS
/dt
在
-- 4 10 v/
µ
s
回转 比率 止 50 至 70% v
bb
:
R
L
= 22
Ω
, v
在
= 10 至 0 v, v
bb
= 12 v
d
V
DS
/dt
止
-- 4 10 v/
µ
s

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HITFET ® bsp 75 半导体组页 3 1998-02-04 电的特性参数和情况标识值单位在 t j = 25 °c, 除非否则指定最小值典型值最大值静态的特性流源 clamp 电压 I D = 10 毫安 T j = -40...+150°c: V ds(az) 55 -- 70 V 止状态流电流 V 在 = 0 v, V DS = 32 v T j =-40...+150°c: I DSS -- -- 5 µ 一个输入门槛电压 I D = 10 毫安 V 在(th) 2 2.5 3 V 输入电流正常的运作, I d< I d(lim) : V 在 = 5 v 电流限制模式, I D =I d(lim) : 之后热的关闭, I D =0 一个: I 在(1) I 在(2) I 在(3) -- -- 1000 100 200 1500 200 300 2000 µ 一个在-状态阻抗 I D = 0.7 一个, v 在 = 5 v T j =25°c: T j =150°c: R ds(在) -- -- 550 850 675 1350 m Ω 在-状态阻抗 I D = 0.7 一个, v 在 = 10 v T j =25°c: T j =150°c: R ds(在) -- -- 475 750 550 1000 m Ω 名义上的加载电流 V BB = 12 v, V DS = 0.5 v, T S = 85°c T j < 150°c I d(nom) 0.7 -- -- 一个电流限制 V 在 = 10 v, V DS = 12 v I d(lim) 1 1.5 1.9 一个动态特性转变-在时间 V 在至 90% I D : R L = 22 Ω , v 在 = 0 至 10 v, v bb = 12 v t 在 -- 10 20 µ s 转变-止时间 V 在至 10% I D : R L = 22 Ω , v 在 = 10 至 0 v, v bb = 12 v t 止 -- 10 20 µ s 回转比率在 70 至 50% v bb : R L = 22 Ω , v 在 = 0 至 10 v, v bb = 12 v -d V DS /dt 在 -- 4 10 v/ µ s 回转比率止 50 至 70% v bb : R L = 22 Ω , v 在 = 10 至 0 v, v bb = 12 v d V DS /dt 止 -- 4 10 v/ µ s

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