HITFET
®
bsp 75
半导体 组 页 1 的 9 1998-02-04
smart lowside 电源 转变
特性
•
逻辑 水平的 输入
•
输入 保护 (静电释放)
•
热的 关闭 (和 重新开始)
•
超载 保护
•
短的 电路 保护
•
超(电)压 保护
•
电流 限制
应用
•
所有 种类 的 resistive, inductive 和 电容的 负载 在 切换 产品
•
µ
c 兼容 电源 转变 为 12 v 和 24 v 直流 产品
•
替代 electromechanical 接转 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 在
S
mart
P
ower
T
echnology. 全部地 保护 用 embedded 保护 功能.
保护
超(电)压
流
在
静电释放
HITFET
源
1
3
在-
保护
温度
短的 电路
保护
+
限制
V
bb
短的 电路
保护
加载
2
dv/dt
限制
4
M
电流
管脚 标识 函数
1 在 输入
2 流 输出 至 这 加载
3 源 地面
TAB 基质 必须 是 连接 至 管脚 3
产品 summary
持续的 流 源 电压 V
DS
55 V
在-状态 阻抗
R
DS(在)
550
m
Ω
电流 限制
I
d(lim)
1A
名义上的 加载 电流
I
d(Nom)
0.7 一个
夹紧 活力
E
作
550 mJ