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资料编号:180625
 
资料名称:BSP318S
 
文件大小: 76.26K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999-10-28
页 6
BSP318S
最终 数据
典型值 输出 典型的
I
D
= f (
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V
5.0
V
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
一个
6.5
BSP318S
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 2.0
b
b 2.5
c
c 3.0
d
d 3.5
e
e 4.0
f
f 4.5
g
g 5.0
h
h 5.5
i
i 6.0
j
j 7.0
k
k 8.0
l
P
tot
= 1.80w
l 10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 80 µs
0 1 2 3 4 5 6 7 8
V
10
V
GS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
一个
15
I
D
流-源 在-阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 2.6 一个,
V
GS
= 4.5 v
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.36
BSP318S
R
ds(在)
典型值
98%
门 门槛 电压
V
gs(th)
=
f
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 20 µa
-60 -20 20 60 100 140
°C
200
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
3.0
V
gs(th)
最小值
典型值
最大值
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