1
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
2
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
3
01.11.2003
切换 晶体管 bsp 30 ... bsp 33
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
根基 饱和 电压– 基准-sättigungsspannung
1
)
- i
C
= 150 毫安, - i
B
= 15 毫安 - v
BEsat
– – 1 v
- i
C
= 500 毫安, - i
B
= 50 毫安 - v
BEsat
– – 1.2 v
直流 电流 增益 – kollekt或者-基准-stromverhältnis
1
)
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 100
一个
bsp 30
bsp 32
h
FE
10 – –
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 100 毫安 h
FE
40 – 120
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 500 毫安 h
FE
30 – –
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 100
一个
bsp 31
bsp 33
h
FE
30 – –
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 100 毫安 h
FE
100 – 300
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 500 毫安 h
FE
50 – –
增益-带宽 product – transitfrequenz
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 10 毫安, f = 100 mhz f
T
100 mhz – –
集电级-根基 电容– kollektor-基准-kapazität
- v
CB
= 10 v, i
E
= i
e
= 0, f = 1 mhz C
CB0
– 20 pf –
发射级-根基 电容 – 发射级-基准-kapazität
- v
EB
= 0.5 v, i
C
= i
c
= 0, f = 1 mhz C
EB0
– 120 pf –
切换 时间 – schaltzeiten
转变-在 时间
- i
Con
= 100 毫安,
- i
Bon
= 5 毫安, i
Boff
= 5 毫安
t
在
– – 500 ns
转变-止 时间 t
止
– – 600 ns
热的 阻抗 – wärmewiderstand
接合面 至 包围的 空气 – sperrschicht zu umgebender luft R
thA
93 k/w
2
)
接合面 至 焊接 要点 – sperrschicht zu lötpad R
thS
12 k/w
推荐 complementary npn 晶体管
empfohlene komplementäre npn-transistoren
bsp 40, bsp 41, bsp 42, bsp 43
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