1
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
2
01.11.2003
4
3
2
1
3
±0.1
6.5
±0.2
0.7
3.25 2.3
7
±0.3
1.65
3.5
±0.2
bsp 30 ... bsp 33 切换 晶体管
PNP
表面 挂载 si-外延的
PlanarTransistors
si-外延的 planartransistoren
für 消逝 oberflächenmontage
PNP
电源 消耗 – verlustleistung 1.3 w
塑料 情况 sot-223
Kunststoffgehäuse
重量 approx. – gewicht ca. 0.04 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
维度 / maße 在 mm
1 = b 2, 4 = c 3 = e
标准 包装 带子系紧 和 卷盘
标准 lieferform gegurtet auf rolle
最大 比率 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bsp 30
bsp 31
bsp 32
bsp 33
集电级-发射级-电压 b 打开 - v
CE0
60 v 80 v
集电级-根基-电压 e 打开 - v
CB0
70 v 90 v
发射级-根基-电压 c 打开 - v
EB0
5 v
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
1.3 w
1
)
集电级 电流 – kollektorstrom (直流) - i
C
1 一个
顶峰 集电级 电流 – koll.-spitzenstrom - i
CM
2 一个
顶峰 根基 电流 – 基准-spitzenstrom - i
BM
200 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 65…+ 150
C
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
集电级-根基 截止 电流 – kollektorreststrom
I
E
= 0, - v
CB
= 60 v - i
CB0
– – 100 na
I
E
= 0, - v
CB
= 60 v, t
j
= 150
c- i
CB0
– – 50
一个
发射级-根基 截止 电流 – emitterreststrom
I
C
= 0, - v
EB
= 5 v - i
EB0
– – 100 na
集电级 饱和 volt. – kollektor-sättigungsspg.
2
)
- i
C
= 150 毫安, - i
B
= 15 毫安 - v
CEsat
– – 250 mv
- i
C
= 500 毫安, - i
B
= 50 毫安 - v
CEsat
– – 500 mv
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