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资料编号:180668
 
资料名称:BSP171P
 
文件大小: 60.23K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rated)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSP171P
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
热的 特性
热的 阻抗,
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
- - 25 k/w
热的 阻抗,
接合面 - 包围的
R
thJA
minimal footprint,
稳步的 状态
- - 110
6 cm
2
冷却 范围
1)
,
稳步的 状态
--70
电的 特性,
T
j
=25 °c, 除非 否则 指定
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
=0 v,
I
D
=-250 µa
-60 - - V
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=-460 µa
-1 -1.5 -2
零 门 电压 流 电流
I
DSS
V
DS
=-60 v,
V
GS
=0 v,
T
j
=25 °c
- -0.1 -1 µA
V
DS
=-60 v,
V
GS
=0 v,
T
j
=125 °c
- -10 -100
门-源 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
=-20 v,
V
DS
=0 v
- -10 -100 nA
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=-4.5 v,
I
D
=-1.5 一个
- 0.3 0.45
V
GS
=-10 v,
I
D
=-1.9 一个
- 0.21 0.3
跨导
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
ds(在)最大值
,
I
D
=-1.5 一个
1.4 2.7 - S
1)
设备 在 40 mm x 40 mm x 1.5 mm 环氧的 pcb fr4 和 6 cm
2
(一个 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 在 安静的 空气.
rev. 2.0 页 2 2004-01-20
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