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资料编号:180668
 
资料名称:BSP171P
 
文件大小: 60.23K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rated)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSP171P
9 流-源 在-状态 阻抗 10 典型值 门 门槛 电压
R
ds(在)
=f(
T
j
);
I
D
=-1.9 一个;
V
GS
=-10 v
V
gs(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
;
I
D
=-460 µa
11 典型值 capacitances 12 向前 特性 的 反转 二极管
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 v;
f
=1 mhz
I
F
=f(
V
SD
)
参数:
T
j
典型值
98 %
0
100
200
300
400
500
-60 -20 20 60 100 140 180
T
j
[°C]
R
ds(在)
[m
]
Ciss
Coss
Crss
10
3
10
2
10
1
0102030
-v
DS
[V]
C
[pF]
典型值
最小值
最大值
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-60 -20 20 60 100 140 180
T
j
[°C]
-v
gs(th)
[V]
25 °c, 典型值
150 °c, 典型值
25 °c, 98%
150 °c, 98%
10
1
10
0
10
-1
10
-2
0 0.5 1 1.5
-v
SD
[V]
I
F
[A]
rev. 2.0 页 6 2004-01-20
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