april 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP126
图.8 典型 值.k
R
DS 在
()
在 T
j
R
DS 在
()
在 25
°
C
----------------------------------------------
;
=
handbook, half age
−
50 0 50 150
2.8
0.4
2.4
2
100
1.6
1.2
0.8
MDA717
k
T
j
(
°
c)
(1)
(2)
图.9 V
gs(th)
在 1 毫安;
典型 值.
k
V
GS th
()
在 T
j
V
GS th
()
在 25
°
C
---------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
T
j
(
°
c)
k
150
1.4
1.2
0.8
0.6
1
100
MDA716
图.10 capacitances 作 一个 函数 的 流-源
电压; v
GS
= 0; f = 1 mhz; t
j
=25
°
c;
典型 值.
handbook, halfpage
025
200
0
40
80
120
160
51015
C
(pf)
20
MDA715
V
DS
(v)
C
rss
C
iss
C
oss