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april 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP152
特性
•
直接 接口 至 c-mos, ttl,
等
•
高-速 切换
•
非 secondary 损坏.
描述
n-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管 在 一个
sot223 封套, 将 为 使用
作 一个 线条 电流 interruptor 在
电话 sets 和 为 产品 在
接转, 高-速 和 线条
变压器 驱动器.
固定 - sot223
管脚 描述
1 门
2 流
3 源
4 流
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源
电压
−
200 V
I
D
直流 流 电流
−
550 毫安
P
tot
总的 电源
消耗
向上 至 t
amb
= 25
°
C
−
1.5 W
±
V
GSO
门-源
电压
打开 流
−
40 V
R
ds(在)
流-源
在-阻抗
I
D
= 750 毫安;
V
GS
= 10 V
−
2.5
Ω
V
gs(止)
门-源
截-止 电压
I
D
= 1 毫安;
V
DS
= v
GS
1.5 3.5 V
图.1  simplified 外形 和 标识.
handbook, halfpage
MAM054
4
123
顶 视图
s
d
g

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april 1995 2 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP152 特性 • 直接接口至 c-mos, ttl, 等 • 高-速切换 • 非 secondary 损坏. 描述 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管在一个 sot223 封套, 将为使用作一个线条电流 interruptor 在电话 sets 和为产品在接转, 高-速和线条变压器驱动器. 固定 - sot223 管脚描述 1 门 2 流 3 源 4 流快涉及数据标识参数情况最小值最大值单位 V DS 流-源电压 − 200 V I D 直流流电流 − 550 毫安 P tot 总的电源消耗向上至 t amb = 25 ° C − 1.5 W ± V GSO 门-源电压打开流 − 40 V R ds(在) 流-源在-阻抗 I D = 750 毫安; V GS = 10 V − 2.5 Ω V gs(止) 门-源截-止电压 I D = 1 毫安; V DS = v GS 1.5 3.5 V 图.1 simplified 外形和标识. handbook, halfpage MAM054 4 123 顶视图 s d g

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