april 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP152
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
热的 阻抗
便条
1. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印-电路 板, 40 x 40 x 1.5 mm, 挂载 垫子 为 这 流 tab 最小 6 mm
2
.
静态的 特性
T
j
= 25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
−
200 V
±
V
GSO
门-源 电压 打开 流
−
40 V
I
D
直流 流 电流
−
550 毫安
I
DM
顶峰 流 电流
−
3A
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
= 25
°
c; 便条 1
−
1.5 W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
150
°
C
标识 参数 热的 阻抗
R
th j-一个
从 接合面 至 包围的; 便条 1 83.3 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 10
µ
一个; v
GS
= 0 200
−−
V
±
I
GSS
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 40 v; v
DS
= 0
−−
100 nA
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
1.5
−
3.5 V
R
ds(在)
流-源 在-阻抗 I
D
= 750 毫安; v
GS
= 10 V
−−
2.5
Ω
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
= 160 v; v
GS
= 0
−−
100 nA
|
Y
fs
|
转移 admittance I
D
= 750 毫安; v
DS
= 25 V 400
−−
mS
C
iss
输入 电容 V
DS
= 25 v; v
GS
= 0;
f = 1 MHz
−
100
−
pF
C
oss
输出 电容 V
DS
= 25 v; v
GS
= 0; f = 1 MHz
−
42
−
pF
C
rss
反馈 电容 V
DS
= 25 v; v
GS
= 0; f = 1 MHz
−
8
−
pF
切换 时间 (看 figs
2
和
3
)
t
在
转变-在 时间 I
D
= 750 毫安; v
DD
= 50 v;
V
GS
= 0 至 10 V
−−
15 ns
t
止
转变-止 时间 I
D
= 750 毫安; v
DD
= 50 v;
V
GS
= 10 至 0 V
−−
30 ns
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