半导体 组
2 sep-12-1996
bsp 89
最大 比率
参数 标识 值 单位
碎片 或者 运行 温度
T
j
-55 ... + 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150
热的 阻抗, 碎片 至 包围的 空气
R
thJA
≤
72 k/w
therminal 阻抗, 接合面-焊接 要点
1)
R
thJS
≤
12
din 湿度 类别, din 40 040 E
iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 150 / 56
1) 晶体管 在 环氧的 pcb 40 mm x 40 mm x 1,5 mm 和 6 cm
2
铜 范围 为 流 连接
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 0.25 毫安,
T
j
= 25 °c
V
(br)dss
240 - -
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
ds,
I
D
= 1 毫安
V
gs(th)
0.8 1.5 2
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 240 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 240 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 125 °c
V
DS
= 60 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
I
DSS
-
-
-
-
10
0.1
0.2
100
1
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
I
GSS
- 10 100
nA
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 0.36 一个
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 0.36 一个
R
ds(在)
-
-
4
3.5
10
6
Ω