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1997 Apr 21 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 高-电压 晶体管 bsr19; bsr19a
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
BSR19
−
160 V
BSR19A
−
180 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
BSR19
−
140 V
BSR19A
−
160 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
6V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
300 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
600 毫安
I
B
根基 电流 (直流)
−
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
C
−
250 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 500 k/w

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1997 Apr 21 3 飞利浦半导体产品规格 npn 高-电压晶体管 bsr19; bsr19a 限制的值在一致和这绝对最大比率系统 (iec 134). 热的特性便条 1. 晶体管挂载在一个 fr4 打印-电路板. 标识参数情况最小值最大值单位 V CBO 集电级-根基电压打开发射级 BSR19 − 160 V BSR19A − 180 V V CEO 集电级-发射级电压打开根基 BSR19 − 140 V BSR19A − 160 V V EBO 发射级-根基电压打开集电级 − 6V I C 集电级电流 (直流) − 300 毫安 I CM 顶峰集电级电流 − 600 毫安 I B 根基电流 (直流) − 100 毫安 P tot 总的电源消耗 T amb ≤ 25 ° C − 250 mW T stg 存储温度 − 65 +150 ° C T j 接合面温度 − 150 ° C T amb 运行包围的温度 − 65 +150 ° C 标识参数情况值单位 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的便条 1 500 k/w

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