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1997 Apr 21 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 高-电压 晶体管 bsr19; bsr19a
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流
BSR19 I
E
= 0; v
CB
= 100 V
−
100 nA
I
E
= 0; v
CB
= 100 v; t
amb
= 100
°
C
−
100
µ
一个
I
CBO
集电级 截-止 电流
BSR19A I
E
= 0; v
CB
= 120 V
−
50 nA
I
E
= 0; v
CB
= 120 v; t
amb
= 100
°
C
−
50
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=4V
−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1 毫安; v
CE
=5V
BSR19 60
−
BSR19A 80
−
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 10 毫安; v
CE
=5V
BSR19 60 250
BSR19A 80 250
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 50 毫安; v
CE
=5V
BSR19 20
−
BSR19A 30
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
=1mA
−
150 mV
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 50 毫安; i
B
=5mA
BSR19
−
250 mV
BSR19A
−
200 mV
C
c
集电级 电容 I
E
= 0; v
CB
=10v; f=1mhz
−
6pF
f
T
转变 频率 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 10 v; f = 100 MHz 100 300 MHz

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1997 Apr 21 4 飞利浦半导体产品规格 npn 高-电压晶体管 bsr19; bsr19a 特性 T amb =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值最大值单位 I CBO 集电级截-止电流 BSR19 I E = 0; v CB = 100 V − 100 nA I E = 0; v CB = 100 v; t amb = 100 ° C − 100 µ 一个 I CBO 集电级截-止电流 BSR19A I E = 0; v CB = 120 V − 50 nA I E = 0; v CB = 120 v; t amb = 100 ° C − 50 µ 一个 I EBO 发射级截-止电流 I C = 0; v EB =4V − 50 nA h FE 直流电流增益 I C = 1 毫安; v CE =5V BSR19 60 − BSR19A 80 − h FE 直流电流增益 I C = 10 毫安; v CE =5V BSR19 60 250 BSR19A 80 250 h FE 直流电流增益 I C = 50 毫安; v CE =5V BSR19 20 − BSR19A 30 − V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = 10 毫安; i B =1mA − 150 mV V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = 50 毫安; i B =5mA BSR19 − 250 mV BSR19A − 200 mV C c 集电级电容 I E = 0; v CB =10v; f=1mhz − 6pF f T 转变频率 I C = 10 毫安; v CE = 10 v; f = 100 MHz 100 300 MHz

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