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资料编号:180809
 
资料名称:BSS123LT1G
 
文件大小: 58.16K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSS123LT1
http://onsemi.com
3
典型 电的 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
r
ds(在)
, 静态的 drain−source on−resistance
(normalized)
V
gs(th)
, 门槛 电压 (normalized)
I
D
, 流 电流 (放大器)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
V
DS
, dran 源 电压 (伏特)
图示 1. ohmic 区域
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
V
GS
, 门 源 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
−60 −20 +20 +60 +100 +140 −60 −20 +20 +60 +100 +140
t, 温度 (
°
c)
图示 3. 温度 相比 静态的
drain−source on−resistance
t, 温度 (
°
c)
图示 4. 温度 相比 门
门槛 电压
T
一个
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
9 v
8 v
7 v
6 v
4 v
3 v
5 v
V
DS
= 10 v
−55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
GS
= 10 v
I
D
= 200 毫安
V
DS
= v
GS
I
D
= 1.0 毫安
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