半导体 组件 industries, llc, 2005
march, 2005 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
bss123lt1/d
BSS123LT1
preferred 设备
电源 场效应晶体管
170 mamps, 100 伏特
n−channel sot−23
特性
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain−source 电压 V
DSS
100 Vdc
gate−source 电压
− 持续的
− non−repetitive (t
p
≤
50
s)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电流
− 持续的 (便条 1)
− 搏动 (便条 2)
I
D
I
DM
0.17
0.68
模数转换器
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr−5 板
(便条 3) t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
556
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
1. 这 电源 消耗 的 这 包装 将 结果 在 一个 更小的 持续的 流
电流.
2. 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2.0%.
3. FR−5 = 1.0
0.75
0.062 在.
3
1
2
N−Channel
SOT−23
情况 318
样式 21
标记
图解
SA
SA = 设备 代号
M = 日期 代号
管脚 分派
3
21
流
门
2
1
3
源
170 mamps
100 伏特
R
ds(在)
= 6
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
http://onsemi.com
M
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