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资料编号:180912
资料名称:
BSS139
文件大小: 221.39K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSS139
参数
标识
情况
单位
最小值
典型值
最大值
热的 特性
热的 阻抗,
接合面 - minimal footprint
R
thJA
-
-
350
k/w
电的 特性,
在
T
j
=25 °c, 除非 否则 指定
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
=-3 v,
I
D
=250 µa
250
-
-
V
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=3 v,
I
D
=56 µa
-2.1
-1.4
-1
流-源 泄漏 电流
I
d (止)
V
DS
=250 v,
V
GS
=-3 v,
T
j
=25 °c
-
-
0.1
µA
V
DS
=250 v,
V
GS
=-3 v,
T
j
=125 °c
--10
门-源 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
=20 v,
V
DS
=0 v
-
-
10
nA
saturated 流 电流
I
DSS
V
GS
=0 v,
V
DS
=10 v
30
-
-
毫安
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=0 v,
I
D
=15 毫安
-
12.5
30
Ω
V
GS
=10 v,
I
D
=0.1 一个
-
7.8
14.0
跨导
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
ds(在)最大值
,
I
D
=0.08 一个
0.06
0.13
-
S
值
rev. 1.0
页 2
2003-04-03
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