关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:180912
资料名称:
BSS139
文件大小: 221.39K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSS139
参数
标识
情况
单位
最小值
典型值
最大值
D
ynamic 特性
输入 电容
C
iss
-6076pf
输出 电容
C
oss
-
6.7
8.4
反转 转移 电容
C
rss
-
2.6
3.3
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-
5.8
8.7
ns
上升 时间
t
r
-
5.4
8.1
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-2943
下降 时间
t
f
-
182
273
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
-
0.14
0.21
nC
门 至 流 承担
Q
gd
-
1.3
2.0
门 承担 总的
Q
g
-
2.3
3.5
门 plateau 电压
V
plateau
-
-0.28
-
V
反转 二极管
二极管 continous 向前 电流
I
S
-
-
0.10
一个
二极管 脉冲波 电流
I
s,脉冲波
-
-
0.4
二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=-3 v,
I
F
=0.1 一个,
T
j
=25 °c
-
0.81
1.2
V
反转 恢复 时间
t
rr
-
8.6
12.9
ns
反转 恢复 承担
Q
rr
-
2.1
3.1
nC
V
R
=50 v,
I
F
=0.04 一个,
d
i
F
/d
t
=100 一个/µs
T
一个
=25 °c
值
V
GS
=-3 v,
V
DS
=25 v,
f
=1 mhz
V
DD
=125 v,
V
GS
=-3...5 v,
I
D
=0.04 一个,
R
G
=6
Ω
V
DD
=200 v,
I
D
=0.04 一个,
V
GS
=-3 至 5 v
rev. 1.0
页 3
2003-04-03
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com