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资料编号:180919
 
资料名称:BSS83
 
文件大小: 408.76K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
 
 


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2003-06-23
页 6
bss 83 p
rev. 1.0
典型值 流-源-在-阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
0.00 -0.10 -0.20 -0.30 -0.40 -0.50
一个
-0.65
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
W
6.5
bss 83 p
R
ds(在)
一个
V
GS
[v] =
一个
-2.5
b
b
-3.0
c
c
-3.5
d
d
-4.0
e
e
-4.5
f
f
-5.0
g
g
-5.5
h
h
-6.0
i
i
-6.5
j
j
-7.0
k
k
-8.0
l
l
-10.0
典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5 -4.0
V
-5.0
V
DS
0.00
-0.10
-0.20
-0.30
-0.40
-0.50
-0.60
一个
-0.80
bss 83 p
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 -2.5
b
b -3.0
c
c -3.5
d
d -4.0
e
e -4.5
f
f -5.0
g
g -5.5
h
h -6.0
i
i -6.5
j
j -7.0
k
k -8.0
l
P
tot
= 0w
l -10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
³
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 -1.0 -2.0 -3.0 -4.0
V
-6.0
V
GS
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
一个
-1.2
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
参数:
g
fs
0.00 -0.10 -0.20 -0.30 -0.40 -0.50
一个
-0.70
ID
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
S
0.70
gfs
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