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资料编号:180919
 
资料名称:BSS83
 
文件大小: 408.76K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
 
 


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2003-06-23
页 8
bss 83 p
rev. 1.0
avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
)
para.:
I
D
= -0.33 一个 ,
V
DD
= -25 v,
R
GS
= 25
25 45 65 85 105 125
°C
165
T
j
0
1
2
3
4
5
6
7
8
mJ
10
E
典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
)
参数:
I
D
= -0.33 一个 搏动
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
nC
3.4
Q
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
V
-16
bss 83 p
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
-54
-56
-58
-60
-62
-64
-66
-68
V
-72
bss 83 p
V
(br)dss
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