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april 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BST84
特性
T
j
=25
°
C 除非 否则 speciﬁed
流-源 损坏 电压
I
D
= 100
µ
一个; V
GS
=0 V
(br)dss
最小值 200 V
流-源 泄漏 电流
V
DS
= 160 v; v
GS
=0 I
DSS
最大值 10
µ
一个
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v; v
DS
=0 I
GSS
最大值 100 nA
门 门槛 电压
最小值
最大值
0.8
2.8
V
V
I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
V
gs(th)
流-源 在-阻抗
典型值
最大值
6
12
Ω
Ω
I
D
= 250 毫安; v
GS
= 10 v R
ds(在)
转移 admittance
I
D
= 250 毫安; v
DS
= 15 v

Y
fs

典型值 250 mS
输入 电容 在 f = 1 mhz
V
DS
= 10 v; v
GS
=0 C
iss
典型值
最大值
70
90
pF
pF
输出 电容 在 f = 1 mhz
V
DS
= 10 v; v
GS
=0 C
oss
典型值
最大值
20
30
pF
pF
反馈 电容 在 f = 1 mhz
V
DS
= 10 v; v
GS
= 0 C
rss
典型值
最大值
5
10
pF
pF
切换 时间 (看 figs 2 和 3)
典型值
最大值
4
10
ns
ns
I
D
= 250 毫安; v
DD
= 50 v; v
GS
= 0 至 10 v t
在
t
止
典型值
最大值
15
25
ns
ns

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april 1995 4 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BST84 特性 T j =25 ° C 除非否则 speciﬁed 流-源损坏电压 I D = 100 µ 一个; V GS =0 V (br)dss 最小值 200 V 流-源泄漏电流 V DS = 160 v; v GS =0 I DSS 最大值 10 µ 一个门-源泄漏电流 V GS = 20 v; v DS =0 I GSS 最大值 100 nA 门门槛电压最小值最大值 0.8 2.8 V V I D = 1 毫安; v DS =V GS V gs(th) 流-源在-阻抗典型值最大值 6 12 Ω Ω I D = 250 毫安; v GS = 10 v R ds(在) 转移 admittance I D = 250 毫安; v DS = 15 v  Y fs  典型值 250 mS 输入电容在 f = 1 mhz V DS = 10 v; v GS =0 C iss 典型值最大值 70 90 pF pF 输出电容在 f = 1 mhz V DS = 10 v; v GS =0 C oss 典型值最大值 20 30 pF pF 反馈电容在 f = 1 mhz V DS = 10 v; v GS = 0 C rss 典型值最大值 5 10 pF pF 切换时间 (看 figs 2 和 3) 典型值最大值 4 10 ns ns I D = 250 毫安; v DD = 50 v; v GS = 0 至 10 v t 在 t 止典型值最大值 15 25 ns ns

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