april 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BST84
图.6 t
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
010
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
246
I
D
(一个)
8
MDA766
V
DS
(v)
V
GS
= 10 v
5 v
3 v
4 v
图.7 电源 减额 曲线.
handbook, halfpage
0
1.2
0.8
0.4
0
50 100 200150
MDA767
P
tot
(w)
T
amb
(
°
c)
图.8
在 400 毫安/10 v; 典型 值.
k
R
DS (在)
在 T
j
R
DS (在)
在 25
°
C
-------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
3
0.5
2.5
100
2
1.5
1
MDA742
图.9
V
gs(th)
在 1 毫安; 典型 值.
k
V
GS th
()
在 T
j
V
GS th
()
在 25
°
C
---------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
1.2
0.7
1.1
100
1
0.9
0.8
MDA743
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