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资料编号:181717
 
资料名称:MMBT5401LT3G
 
文件大小: 135.89K
   
说明
 
介绍:
High Voltage Transistor(PNP Silicon)
 
 


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MMBT5401LT1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
集电级发射级 损坏 电压
(i
C
= −1.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
−150
Vdc
集电级根基 损坏 电压
(i
C
= −100
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
−160
Vdc
发射级根基 损坏 电压
(i
E
= −10
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
−5.0
Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= −120 vdc, i
E
= 0)
(v
CB
= −120 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
c)
I
CES
−50
−50
nAdc
模数转换器
直流 电流 增益
(i
C
= −1.0 madc, v
CE
= −5.0 vdc)
(i
C
= −10 madc, v
CE
= −5.0 vdc)
(i
C
= −50 madc, v
CE
= −5.0 vdc)
h
FE
50
60
50
240
集电级发射级 饱和 电压
(i
C
= −10 madc, i
B
= −1.0 madc)
(i
C
= −50 madc, i
B
= −5.0 madc)
V
ce(sat)
−0.2
−0.5
Vdc
根基发射级 饱和 电压
(i
C
= −10 madc, i
B
= −1.0 madc)
(i
C
= −50 madc, i
B
= −5.0 madc)
V
是(sat)
−1.0
−1.0
Vdc
电流增益 — 带宽 产品
(i
C
= −10 madc, v
CE
= −10 vdc, f = 100 mhz)
f
T
100 300
MHz
输出 电容
(v
CB
= −10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
obo
6.0
pF
小 信号 电流 增益
(i
C
= −1.0 madc, v
CE
= −10 vdc, f = 1.0 khz)
h
fe
40 200
噪音 图示
(i
C
= −200
模数转换器, v
CE
= −5.0 vdc, r
S
= 10
,
f = 1.0 khz)
NF
8.0
dB
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