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资料编号:181717
资料名称:
MMBT5401LT3G
文件大小: 135.89K
说明
:
介绍
:
High Voltage Transistor(PNP Silicon)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMBT5401LT1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识
最小值
最大值
单位
止 特性
集电级
−
发射级 损坏 电压
(i
C
= −1.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
−150
−
Vdc
集电级
−
根基 损坏 电压
(i
C
= −100
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
−160
−
Vdc
发射级
−
根基 损坏 电压
(i
E
= −10
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
−5.0
−
Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= −120 vdc, i
E
= 0)
(v
CB
= −120 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
c)
I
CES
−
−
−50
−50
nAdc
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= −1.0 madc, v
CE
= −5.0 vdc)
(i
C
= −10 madc, v
CE
= −5.0 vdc)
(i
C
= −50 madc, v
CE
= −5.0 vdc)
h
FE
50
60
50
−
240
−
−
集电级
−
发射级 饱和 电压
(i
C
= −10 madc, i
B
= −1.0 madc)
(i
C
= −50 madc, i
B
= −5.0 madc)
V
ce(sat)
−
−
−0.2
−0.5
Vdc
根基
−
发射级 饱和 电压
(i
C
= −10 madc, i
B
= −1.0 madc)
(i
C
= −50 madc, i
B
= −5.0 madc)
V
是(sat)
−
−
−1.0
−1.0
Vdc
SMALL−
信号 特性
电流
−
增益 — 带宽 产品
(i
C
= −10 madc, v
CE
= −10 vdc, f = 100 mhz)
f
T
100
300
MHz
输出 电容
(v
CB
= −10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
obo
−
6.0
pF
小 信号 电流 增益
(i
C
= −1.0 madc, v
CE
= −10 vdc, f = 1.0 khz)
h
fe
40
200
−
噪音 图示
(i
C
= −200
模数转换器, v
CE
= −5.0 vdc, r
S
= 10
,
f = 1.0 khz)
NF
−
8.0
dB
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