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资料编号:181717
资料名称:
MMBT5401LT3G
文件大小: 135.89K
说明
:
介绍
:
High Voltage Transistor(PNP Silicon)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMBT5401LT1
http://onsemi.com
4
图示 4. “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.4
0.6
0.7
1.0
0.2
图示 5. 温度 coefficients
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
v, 电压 (伏特)
0
T
J
= 25
°
C
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
2.5
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
c, 电容 (pf)
100
T
J
= 25
°
C
C
ibo
图示 6. 切换 时间 测试 电路
V
R
, 反转 电压 (伏特)
0.9
0.8
0.5
0.3
0.1
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
0.3
3.0
30
V
, 温度 系数 (mv/
c)
°
θ
图示 7. capacitances
10.2 v
V
在
10
s
输入 脉冲波
V
BB
+8.8 v
100
R
B
5.1 k
0.25
F
V
在
100
1N914
V
输出
R
C
V
CC
−30 v
3.0 k
t
r
, t
f
≤
10 ns
职责 循环 = 1.0%
值 显示 是 为 i
C
@ 10 毫安
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1000.3
3.0
30
2.0
1.5
1.0
0.5
0
−0.5
−1.0
−1.5
−2.0
−2.5
T
J
= −
55
°
c 至 135
°
C
VC
为 v
ce(sat)
VB
为 v
是(sat)
C
obo
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
200.3
3.0
0.7
7.0
t, 时间 (ns)
1000
100
200
300
500
700
10
20
30
50
70
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
200.3
3.0
30
50
100
200
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 8. turn−on 时间
I
C
/i
B
= 10
T
J
= 25
°
C
t
d
@ v
是(止)
= 1.0 v
V
CC
= 120 v
t
r
@ v
CC
= 30 v
t
r
@ v
CC
= 120 v
t, 时间 (ns)
2000
100
200
300
500
700
20
30
50
70
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
200.3
3.0
30
50
100
200
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 9. turn−off 时间
1000
t
f
@ v
CC
= 120 v
t
f
@ v
CC
= 30 v
t
s
@ v
CC
= 120 v
I
C
/i
B
= 10
T
J
= 25
°
C
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