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02.12.1998
半导体 组
页 3
bts 949
电的 特性
参数
标识 UnitValues
最大值.典型值.最小值.
在 t
j
=25
°c, 除非 否则 指定
特性
-流 源 clamp 电压
T
j
= - 40 ...+ 150°c,
I
D
= 10 毫安
73 V
V
ds(az)
60
-
I
DSS
-止 状态 流 电流
V
DS
= 32 v,
T
j
= -40...+150 °c,
V
在
= 0 v
25 µA
1.7 2.2
V
在(th)
1.3input 门槛 电压
I
D
= 3,9 毫安
V
- 100 µA
I
在(1)
-
输入 电流 - 正常的 运作,
I
D
<
I
d(lim)
:
V
在
= 10 v
400
输入 电流 - 电流 限制 模式,
I
D
=
I
d(lim)
:
V
在
= 10 v
1000
I
在(2)
-
3000
I
在(3)
1500
输入 电流 - 之后 热的 关闭,
I
D
=0 一个:
V
在
= 10 v
6000
-
-
-
-
I
在(h)
500
300
输入 支持 电流 之后 热的 关闭
T
j
= 25 °c
T
j
= 150 °c
18
30
22
44
m
Ω
R
ds(在)
-
-
在-状态 阻抗
I
D
= 19 一个,
V
在
= 5 v,
T
j
= 25 °c
I
D
= 19 一个,
V
在
= 5 v,
T
j
= 150 °c
14
25
在-状态 阻抗
I
D
= 19 一个,
V
在
= 10 v,
T
j
= 25 °c
I
D
= 19 一个,
V
在
= 10 v,
T
j
= 150 °c
18
36
R
ds(在)
-
-
-
I
d(iso)
19nominal 加载 电流 (iso 10483)
V
在
= 10 v,
V
DS
= 0.5 v,
T
C
= 85 °c
- 一个

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02.12.1998 半导体组页 3 bts 949 电的特性参数标识 UnitValues 最大值.典型值.最小值. 在 t j =25 °c, 除非否则指定特性 -流源 clamp 电压 T j = - 40 ...+ 150°c, I D = 10 毫安 73 V V ds(az) 60 - I DSS -止状态流电流 V DS = 32 v, T j = -40...+150 °c, V 在 = 0 v 25 µA 1.7 2.2 V 在(th) 1.3input 门槛电压 I D = 3,9 毫安 V - 100 µA I 在(1) - 输入电流 - 正常的运作, I D < I d(lim) : V 在 = 10 v 400 输入电流 - 电流限制模式, I D = I d(lim) : V 在 = 10 v 1000 I 在(2) - 3000 I 在(3) 1500 输入电流 - 之后热的关闭, I D =0 一个: V 在 = 10 v 6000 - - - - I 在(h) 500 300 输入支持电流之后热的关闭 T j = 25 °c T j = 150 °c 18 30 22 44 m Ω R ds(在) - - 在-状态阻抗 I D = 19 一个, V 在 = 5 v, T j = 25 °c I D = 19 一个, V 在 = 5 v, T j = 150 °c 14 25 在-状态阻抗 I D = 19 一个, V 在 = 10 v, T j = 25 °c I D = 19 一个, V 在 = 10 v, T j = 150 °c 18 36 R ds(在) - - - I d(iso) 19nominal 加载电流 (iso 10483) V 在 = 10 v, V DS = 0.5 v, T C = 85 °c - 一个

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