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02.12.1998
半导体 组
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bts 949
典型值 转移 特性
I
D
= f(v
在
);
V
DS
=12v; t
j
=25°C
0 1 2 3 4 5
V
7
V
在
0
20
40
60
80
100
120
一个
160
I
D
典型值 短的 电路 电流
I
Dlim
= f(t
j
);
R
CC
=0
Ω
, v
DS
=12V
参数: v
在
-50 -25 0 25 50 75 100
°C
150
T
j
0
50
100
150
一个
250
I
D
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10V
典型值 输出 典型的
I
D
= f(v
DS
);
T
j
=25°C
参数: v
在
0 1 2 3 4 5
V
7
V
DS
0
25
50
75
100
一个
150
I
D
VIN=3V
4V
5V
6V
10V
safe 运行 范围
I
d(sc)
= f(v
DS
);
T
j
=25°C
0 10 20 30
V
50
V
DS
0
50
100
150
200
一个
300
I
D

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02.12.1998 半导体组页 7 bts 949 典型值转移特性 I D = f(v 在 ); V DS =12v; t j =25°C 0 1 2 3 4 5 V 7 V 在 0 20 40 60 80 100 120 一个 160 I D 典型值短的电路电流 I Dlim = f(t j ); R CC =0 Ω , v DS =12V 参数: v 在 -50 -25 0 25 50 75 100 °C 150 T j 0 50 100 150 一个 250 I D 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V 典型值输出典型的 I D = f(v DS ); T j =25°C 参数: v 在 0 1 2 3 4 5 V 7 V DS 0 25 50 75 100 一个 150 I D VIN=3V 4V 5V 6V 10V safe 运行范围 I d(sc) = f(v DS ); T j =25°C 0 10 20 30 V 50 V DS 0 50 100 150 200 一个 300 I D

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