19.05.2000
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HITFET
=
==
=
bts 133
smart lowside 电源 转变
特性
•
逻辑 水平的 输入
•
输入 保护 (静电释放)
•
=
热的 关闭 和 获得
•
超载 保护
•
短的 电路 保护
•
超（电）压 保护
•
电流 限制
•
状态 反馈 和 外部 输入 电阻
•
相似物 驱动 可能
产品 summary
流 源 电压
V
DS
60 V
在-状态 阻抗
R
ds(在)
50
m
Ω
电流 限制
I
d(lim)
21 一个
名义上的 加载 电流
I
d(iso)
7 一个
夹紧 活力
E
作
2000 mJ
应用
•
所有 种类 的 resistive, inductive 和 电容的 负载 在 切换 或者
直线的 产品
•
µc 兼容 电源 转变 为 12 v 和 24 v 直流 产品
•
替代 electromechanical 接转 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 在 smart sipmos
碎片 在 碎片 tech-
nology. 全部地 保护 用 embedded 保护 功能.
保护
超（电）压
流
在
静电释放
HITFET
源
电流
1
3
在-
保护
温度
短的 电路
保护
+
dv/dt
limitation lim itation
V
bb
短的 电路
保护
加载
2
超载
保护
M
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