PROFET
数据 薄板 bts 6163 d
infineon 科技 ag 页 3 的 16 2003-oct-01
热的 特性
参数 和 情况标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
热的 resistance 碎片 - 情况
:
R
thJC
-- -- 1.1
k/w
接合面 - 包围的 (自由 空气):
R
thJA
--
80 --
smd 版本, 设备 在 pcb
6)
:
--
45
55
电的 特性
参数 和 情况标识 值 单位
在
T
j
= 25,
V
bb
= 24 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
加载 切换 能力 和 特性
在-状态 阻抗 (管脚 3 至 管脚 1,5)
V
在
= 0,
V
bb
= 5.5v,
I
L
= 7.5 一个
T
j
=25 °c:
T
j
=150 °c:
V
在
= 0,
V
bb
= 12..24v,
I
L
= 7.5 一个
T
j
=25 °c:
T
j
=150 °c:
R
在
--
--
--
--
19
38
16
32
25
50
20
40
m
Ω
输出 电压 漏出 限制 在 小 加载
电流 (tab 至 管脚 1,5)
5
)
T
j
=-40...150 °c:
V
在(nl)
-- 40 65 mV
名义上的 加载 电流 (tab 至 管脚 1,5)
iso proposal:
V
在
≤
0.5 v,
T
C
= 85°c,
T
j
≤
150°C
SMD
6
)
,
V
在
≤
0.5 v,
T
一个
= 85°c,
T
j
≤
150°C
I
l(iso)
I
l(nom)
17
5.5
21.5
6.5
--
--
一个
转变-在 时间
至 90%
V
输出
:
转变-止 时间 至 10%
V
输出
:
R
L
= 3.9
Ω,
T
j
=-40...150 °c
t
在
t
止
--
--
150
200
300
550
µ
s
回转 比率 在
25 至 50%
V
输出
,
R
L
= 3.9
Ω,
T
j
=-40...150 °c
d
V
/dt
在
-- 0.65 1.0 v/
µ
s
回转 比率 止
50 至 25%
V
输出
,
R
L
= 3.9
Ω,
T
j
=-40...150 °c
-d
V
/dt
止
-- 0.65 1.2 v/
µ
s
5
)
看 图示 7a 在 页 15.
6
)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为 v
bb
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
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